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 加速器铅门数值模拟研究

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 加速器铅门数值模拟研究

发布日期:2021-02-25 作者: 点击:

 加速器铅门数值模拟研究

在高能电子加速器靶的设计工作中,为了防止电子从靶中透射引起电子污染,需要根据高能电子在Jr金属靶中的射程对靶厚度进行选择。一般情况下,靶厚度取略人于电子射程的仇。文献作者用衰减法对能'It为。高能电子在纯铝c#’的外推射程进行测录和计算:文献中,作者给出能员1-2OMeV的高能电子在钨靶LI,的平均射程仇。

在电子加速器铅门的实际设计工作,所选川的靶材料包括W, Au, Ta, Mo等多种材料,击靶电子能最在1-'20MeV丢鉴至更高,这便要求有一种能突破以往的射程计算方法在适)月能 和材料种类方而限制的计算方法与之相适应。为此本文提出一种蒙特卡罗方法计算机模拟程序计算高能电子在重金属中射程的新方法,并用蒙特卡罗程序MCNP[51片于算了1-100MeV电子在Au, W, Ta, Mo等电子加速器常用靶物质中的射程,其中1-20 MeV电子在W靶,射程的计算结果与文献中给出的平均射程仇符合较好。对射程计算结果进行数仇拟和,得到用一计算1-100MeV宽能区内的电子在W,Ta,Au,Mc中射程的经验公式,对高能加速器靶的设计工作具丫f指导意义。


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